问答题
栅极→a-Si：H有源岛、源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极
简述5次光刻的工艺流程。
问答题简述5次光刻的工艺流程。
简述背沟道阻挡结构的优缺点。
问答题简述背沟道阻挡结构的优缺点。
简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。
问答题简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。
