问答题
多晶硅薄膜用TEOS（正硅酸乙酯）-臭氧方法淀积SiO2 Si（C......(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
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质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？
问答题质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？
名词解释：CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。（将这些名词翻译成中文并做出解释）。
问答题名词解释：CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。（将这些名词翻译成中文并做出解释）。
例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的作用。
问答题例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的作用。
