单项选择题
A.强N型半导体B.弱N型半导体C.弱P型半导体D.本征半导体
B掺杂浓度为6×1016cm-3的Si半导体，再掺入4×415cm-3的P原子后，在禁带EF的位置将（）A....
单项选择题B掺杂浓度为6×1016cm-3的Si半导体，再掺入4×415cm-3的P原子后，在禁带EF的位置将（）
A.更靠近EvB.更靠近EcC.不确定D.位于Ei
对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（）A.EcB.位于EF以下，且很接近EF的能级C.EiD...
单项选择题对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（）
A.EcB.位于EF以下，且很接近EF的能级C.EiD.位于EF以上，且很接近EF的能级
对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（）A.1/niB.1/△pC.1/p0D...
单项选择题对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（）
A.1/niB.1/△pC.1/p0D.1/n0
