问答题
PECVD氮化硅薄膜含H、质地疏松，抗KOH水溶液中的腐蚀性能差。可通过高温退火，使H逸出，薄膜致密化，从而提高抗腐蚀性......
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在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩散多长时间？然后，进行...
问答题在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩散多长时间？然后，进行湿氧化，氧化层厚0.2μm时，结深是多少？（湿氧速率很快， 短时间的氧化，忽略磷向硅内部的推进）
什么是沟道效应？如何才能避免？
问答题什么是沟道效应？如何才能避免？
掺氯氧化为何对提高氧化层质量有作用？
问答题掺氯氧化为何对提高氧化层质量有作用？
