单项选择题
A.增加B.不确定C.不变D.下降
对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）A.掺入n型杂质B.掺入p型杂质C.本征激发D.引入深能级
多项选择题对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
A.掺入n型杂质B.掺入p型杂质C.本征激发D.引入深能级
下面（）过程属于间接复合的微观过程。A.发射电子B.发射激子C.俘获空穴D.声子发射
多项选择题下面（）过程属于间接复合的微观过程。
A.发射电子B.发射激子C.俘获空穴D.声子发射
根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（）A.本征半导体B.n型半导体C.p型半导体D.高度补偿半导体
多项选择题根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（）
A.本征半导体B.n型半导体C.p型半导体D.高度补偿半导体
