各种面缺陷的形成都和（）形成有关。

单晶尾面脱离熔硅后，由于（）作用往往产生位错，沿滑移面向单晶内部延伸。

填空题单晶尾面脱离熔硅后，由于（）作用往往产生位错，沿滑移面向单晶内部延伸。

硅单晶是典型的（）结构，并且是（）结合，（）是硅单晶的主要滑移面。

填空题硅单晶是典型的（）结构，并且是（）结合，（）是硅单晶的主要滑移面。

位错滑移只扩大滑移区，攀移需要（）扩散，伴有质量输送。

填空题位错滑移只扩大滑移区，攀移需要（）扩散，伴有质量输送。