单项选择题
A.扩散长度法 B.光电导衰退法 C.光脉冲法 D.光磁法
四探针法测量电阻率的测准条件主要有（）A.电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化B.一般采用1～2mm左右的...
多项选择题四探针法测量电阻率的测准条件主要有（）
A.电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化 B.一般采用1～2mm左右的针距较适宜 C.四根探针应处于同一平面的同一条直线上 D.样品的厚度必须大于3倍针距
目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法，一般主要有（）。A.直接法B.瞬态法C.稳态法D.间接法
多项选择题目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法，一般主要有（）。
A.直接法 B.瞬态法 C.稳态法 D.间接法
国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（）A.单探针点接触整流法B.冷热探笔法C.三探针法D.冷探笔法
多项选择题国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（）
A.单探针点接触整流法 B.冷热探笔法 C.三探针法 D.冷探笔法
