铸造多晶硅中的金属沉淀不会影响载流子浓度。

铸造多晶硅晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2～4h，使硅锭温度均匀，以减少热应力。

判断题铸造多晶硅晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2～4h，使硅锭温度均匀，以减少热应力。

直流光电导衰退法可用于测量少子寿命，不需要接触硅片。

判断题直流光电导衰退法可用于测量少子寿命，不需要接触硅片。

在铸造多晶硅锭中，氧在高度方向的分布是上部高下部低。

判断题在铸造多晶硅锭中，氧在高度方向的分布是上部高下部低。