计算题

本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为n=Nexp（-E_g/2KT）：，式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题：

用能量的观点说明铁磁体内形成磁畴的原因。

问答题用能量的观点说明铁磁体内形成磁畴的原因。

自发磁化的物理本质是什么？材料具有铁磁性的充要条件是什么？

问答题自发磁化的物理本质是什么？材料具有铁磁性的充要条件是什么？

为什么碳化硅的电容光焕发率与其折射率的平方n2相等。

问答题为什么碳化硅的电容光焕发率与其折射率的平方n²相等。