共模抑制比越大，差放电路分辨差模信号的能力越强，受共模信号的影响越小。

温度每升高1℃，uBE就减小2～2.5mV。

判断题温度每升高1℃，uBE就减小2～2.5 mV。

硅管的正向导通压降大于锗管。

判断题硅管的正向导通压降大于锗管。

PN结加反向电压，耗尽层将变厚。

判断题PN结加反向电压，耗尽层将变厚。