问答题
在硅衬底上形成的、掺杂类型或掺杂浓度与硅衬底不同的局部掺杂区域称为阱（well），包括：n阱、p阱和双阱（dual/tw......
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试说明NMOS和PMOS的源漏是如何形成的及为什么？
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试说明MOS工艺中存在的自对准结构及他们的主要优点。
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什么是硅栅自对准技术？简单说明其主要制作步骤和主要优点。
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