问答题
因为Id=CdU/dt，所以电压变化率为dU/dt=Id/C=1/10-12=1012（V·s-1）．
试证：平行板电容器中的位移电流可写成的形式，式中C是电容器的电容，U是两板间的电势差．对于其他的电容器上式可以...
试证：平行板电容器中的位移电流可写成的形式，式中C是电容器的电容，U是两板间的电势差．对于其他的电容器上式可以应用吗？
一螺绕环中心轴线的周长L=500mm，横截面为正方形，其边长为b=15mm，由N=2500匝的绝缘导线均匀密绕...
一螺绕环中心轴线的周长L=500mm，横截面为正方形，其边长为b=15mm，由N=2500匝的绝缘导线均匀密绕面成，铁芯的相对磁导率μr=1000，当导线中通有电流I=2.0A时，求： （1）环内中心轴线上处的磁能密度； （2）螺绕环的总磁能．
两个共轴的螺线管A和B完全耦合，A管的自感系数L1=4.0×10-3H，通有电流I1=2A，B管的自感L2=9...
问答题两个共轴的螺线管A和B完全耦合，A管的自感系数L1=4.0×10-3H，通有电流I1=2A，B管的自感L2=9×10-3H，通有电流I2=4A．求两线圈内储存的总磁能．
的形式，式中C是电容器的电容，U是两板间的电势差．对于其他的电容器上式可以应用吗？