计算题 已知电子的有效质量me=9.1×10^-31kg，空穴的有效质量mh=3.8×10^-30kg，GaAs单量子阱厚度d=8nm，计算在第一个电子的子能带态（n=1）和在第一个空穴子能带态（n=1）的偏移。

在AlGaN半导体材料中，Al的百分比是0.63，求其在常温27℃的峰值波长，并求出该发光材料光谱的半强度全宽...

问答题在AlGaN半导体材料中，Al的百分比是0.63，求其在常温27℃的峰值波长，并求出该发光材料光谱的半强度全宽△λ。

某直接带隙半导体材料的发光波长为550nm，求其在常温27℃时光谱的半强度全宽△λ。

问答题某直接带隙半导体材料的发光波长为550nm，求其在常温27℃时光谱的半强度全宽△λ。

已知InGaAsP的发光波长是1300nm，求该材料的禁带宽度Eg=？

问答题已知InGaAsP的发光波长是1300nm，求该材料的禁带宽度Eg=？