单项选择题
A.半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化B.半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化C.半导体发生了深耗尽D.半导体表面附近的电子不能产生
降低基区掺杂浓度，（）。A.不利于抑制发射极电流集边效应，有利于抑制Early效应B.有利于抑制发射极电流集边...
单项选择题降低基区掺杂浓度，（）。
A.不利于抑制发射极电流集边效应，有利于抑制Early效应B.有利于抑制发射极电流集边效应和Early效应C.不利于抑制发射极电流集边效应和Early效应D.有利于抑制发射极电流集边效应，不利于抑制Early效应
不能单纯依靠提高发射区掺杂浓度来提高发射效率的物理原因是（）。A.发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小B.发射...
单项选择题不能单纯依靠提高发射区掺杂浓度来提高发射效率的物理原因是（）。
A.发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小B.发射区过高掺杂易诱发基区穿通C.发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低D.发射区过高掺杂易发生基区大注入效应
双极型晶体管硅管和锗管中，发射结势垒区复合电流对发射效率的影响，下列说法中正确的是（）。A.该复合电流影响对...
单项选择题双极型晶体管硅管和锗管中，发射结势垒区复合电流对发射效率的影响，下列说法中正确的是（）。
A.该复合电流影响对两种管子影响大小无法确定B.该复合电流影响对两种管子同样大C.该复合电流影响对硅管大，对锗管小D.该复合电流影响对锗管大，对硅管小
