单项选择题
A.1B.2C.3D.4
NEMOSFET饱和区的工作条件为uGS()Vt,uDS()uGS-Vt。A.〉,〈B.〉,〉C.〈,〈D.〈...
单项选择题NEMOSFET饱和区的工作条件为uGS()Vt,uDS()uGS-Vt。
A.〉,〈B.〉,〉C.〈,〈D.〈,〉
MOSFET中的导电沟道是指其()A.金属层B.耗尽层C.反型层D.氧化层
单项选择题MOSFET中的导电沟道是指其()
A.金属层B.耗尽层C.反型层D.氧化层
齐纳二极管只能用作稳压用途。
判断题齐纳二极管只能用作稳压用途。