简答题 详述影响硅外延生长速率的因素。

要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge单晶，所用的杂质为Ga-Ge合金，合金中P型Ge浓度为Cm=1017...

问答题

要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge单晶，所用的杂质为Ga-Ge合金，合金中P型Ge浓度为C_m=1017cm^-3，原料为纯Ge，问需要多少克Ga-Ge合金？

每拉出g=1/2处，ρ=1Ω·cm的硅单晶锭100g，所用的硅是区熔硅（即纯硅），问要掺杂质硼多少克？

问答题

每拉出g=1/2处，ρ=1Ω·cm的硅单晶锭100g，所用的硅是区熔硅（即纯硅），问要掺杂质硼多少克？

简述位错对材料性能的影响及无位错单晶工艺的要点。

问答题简述位错对材料性能的影响及无位错单晶工艺的要点。