单项选择题
A.网状B.颗粒状C.间断D.连续
热处理时的“过烧”是由于晶界处的能量()而造成的。A.高B.低C.为0D.极大
单项选择题热处理时的“过烧”是由于晶界处的能量()而造成的。
A.高B.低C.为0D.极大
晶粒越细,相变速度()。A.越快B.越慢C.不变D.与材料有关
单项选择题晶粒越细,相变速度()。
A.越快B.越慢C.不变D.与材料有关
当温度升高时,晶粒长大的倾向是()能量的过程。A.自发降低B.自发增高C.被动降低D.被动增高
单项选择题当温度升高时,晶粒长大的倾向是()能量的过程。
A.自发降低B.自发增高C.被动降低D.被动增高