单项选择题
A.发射结的发射功率B.基区电流与发射区电流之比C.发射极电流与发射区电流之比D.注入基区的电子电流与发射极总电流之比
硅基pn结的正向导通电压大概数值是（）。A.0.1VB.0.9VC.2.5vD.0.5V
单项选择题硅基pn结的正向导通电压大概数值是（）。
A.0.1VB.0.9VC.2.5vD.0.5V
pn结正向偏置时，空间电荷区宽度（）。A.变窄B.不变C.变宽D.消失
单项选择题pn结正向偏置时，空间电荷区宽度（）。
A.变窄B.不变C.变宽D.消失
pn结正向偏置时，理论上载流子浓度梯度最大的位置位于（）。A.p区B.p区和n区的边界C.n区D.pn结的界面...
单项选择题pn结正向偏置时，理论上载流子浓度梯度最大的位置位于（）。
A.p区B.p区和n区的边界C.n区D.pn结的界面上
