栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

判断题MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

MOS管阈值电压的单位是eV。

判断题MOS管阈值电压的单位是eV。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

判断题处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。