计算题 把一种复合中心杂质掺入本征硅内，如果它的能级位置在禁带中央，试证明小注入时的寿命τ=τn+τp。

在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程具...

问答题在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程具有相同的概率。试求这种复合-产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心？

掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子n=p=1014cm-3。试计算这种情...

问答题

掺施主浓度ND=10¹⁵cm^-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子∆n=∆p=10¹⁴cm^-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。

画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。

问答题画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。