反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的（）。

​PN结的内建电势Vbi与（）有关。A.外加电压B.掺杂浓度C.材料种类D.温度

多项选择题​PN结的内建电势V_bi与（）有关。

‍P型区和N型区的交界面称为（）。A.表面B.冶金结面C.结面D.端面

多项选择题‍P型区和N型区的交界面称为（）。

共射极接法的双极型晶体管发生雪崩击穿的条件是（）。A.M→∞B.M→αC.M→1/αD.M→1

单项选择题共射极接法的双极型晶体管发生雪崩击穿的条件是（）。