DRAM 比SRAM 的读写速度慢的原因是因为：为了保持数据，需要定时地（）。

按照总线所处的位置分为片内总线和片外总线，片外总线是指用于连接CPU、内存以及I/O设备的总线。因此，片外总线...

填空题按照总线所处的位置分为片内总线和片外总线，片外总线是指用于连接CPU、内存以及I/O设备的总线。因此，片外总线又称为（）总线。

存储器按存储介质分类，可分为磁表面和（）存储器。

填空题存储器按存储介质分类，可分为磁表面和（）存储器。

反映主存速度指标的三个术语是存取时间、存储周期和存储器（）。

填空题反映主存速度指标的三个术语是存取时间、存储周期和存储器（）。