单项选择题
A.增大输入电压VinB.减小扩散电容和互连线的电容C.适当增加晶体管的W/LD.适当增大VDD
关于一对串联反相器中的寄生电容，电容的大小随着工艺尺寸的缩小而增加的是（）。A.扇出的栅电容CG3和CG4B...
关于一对串联反相器中的寄生电容，电容的大小随着工艺尺寸的缩小而增加的是（）。
A.扇出的栅电容CG3和CG4B.连线电容CWC.扩散电容CDB1和CDB2D.栅漏电容CGD12
随着电源电压的降低，反相器在过渡区的增益（）。A.不确定B.减小C.增大D.不变
单项选择题随着电源电压的降低，反相器在过渡区的增益（）。
A.不确定B.减小C.增大D.不变
关于CMOS反相器的开关阈值，下列说法错误的是（）。A.开关阈值取决于PMOS和NMOS管相对驱动强度的比B...
单项选择题关于CMOS反相器的开关阈值，下列说法错误的是（）。
A.开关阈值取决于PMOS和NMOS管相对驱动强度的比B.一般希望开关阈值处于电压摆幅的中点C.提高NMOS的驱动强度将使开关阈值趋近于GNDD.增加PMOS或NMOS的宽度使开关阈值分别向电线接地端或电源电压移动
