判断题
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低压外延反应器内压力应控制在1～20kPa。
判断题低压外延反应器内压力应控制在1～20kPa。
低阻衬底上生长高阻外延层称为正向外延。
判断题低阻衬底上生长高阻外延层称为正向外延。
集成电路制造中，二氧化硅可以用热氧化.化学汽相沉积.原子层沉积法等方法获得。
判断题集成电路制造中，二氧化硅可以用热氧化.化学汽相沉积.原子层沉积法等方法获得。
