单项选择题
A.VDD/2B.阈值电压VTC.VDDD.VDD-VT
互补CMOS 2输入与非门和伪NMOS 2输入与非门相比，正确的表述是（）。A.互补CMOS逻辑门的下降速度更...
单项选择题互补CMOS 2输入与非门和伪NMOS 2输入与非门相比，正确的表述是（）。
A.互补CMOS逻辑门的下降速度更快，静态功耗更高B.互补CMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更低C.伪NMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更高D.伪NMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更低
增加去耦电容可以抑制Ldi/dt效应，那么芯片内部去耦电容正确的放置方式是（）。A.在芯片当中的任一位置上放置...
多项选择题增加去耦电容可以抑制Ldi/dt效应，那么芯片内部去耦电容正确的放置方式是（）。
A.在芯片当中的任一位置上放置一个电容B.靠近大的驱动器的地方应该放置去耦电容C.电源线下方应该放置去耦电容D.尽量远离要稳定的电源电压的电路
芯片中通常把电源线和地线布线成纵横交错的网格状，以降低IR drop，其原理是（）。A.可以减小各处电路的电源...
单项选择题芯片中通常把电源线和地线布线成纵横交错的网格状，以降低IR drop，其原理是（）。
A.可以减小各处电路的电源/地线上的寄生电阻B.可以减小流过电源/地线上的电流C.可以使得芯片各处的电源/地线上的寄生电阻相等D.增大导线的对地电容，滤除电压的波动
