单项选择题
A.与硅片表面材料反应，变成可溶物质或一些硬度过高的物质变化B.向抛光垫施加压力C.将反应生成物从硅片表面去除D.清洗硅片
使用化学机械抛光进行粗抛时抛光区域温度一般控制在（）A.38-50℃B.20-50℃C.20-30℃D.20-...
单项选择题使用化学机械抛光进行粗抛时抛光区域温度一般控制在（）
A.38-50℃B.20-50℃C.20-30℃D.20-38℃
（）不是用来测量结深的。A.磨角染色法B.扩展电阻法C.阳极氧化剥离法D.扩散剥离法
单项选择题（）不是用来测量结深的。
A.磨角染色法B.扩展电阻法C.阳极氧化剥离法D.扩散剥离法
关于两步扩散法，第一步主要控制（）A.结深B.杂质总量C.杂质分布D.杂质表面浓度
单项选择题关于两步扩散法，第一步主要控制（）
A.结深B.杂质总量C.杂质分布D.杂质表面浓度
