晶体管对于dV/dt的要求比晶闸管高。

晶体管应加快速熔断器进行过流保护。

判断题晶体管应加快速熔断器进行过流保护。

晶闸管di/dt的抑制主要措施是在晶闸管上串联一个电感。

判断题晶闸管di/dt的抑制主要措施是在晶闸管上串联一个电感。

晶闸管dV/dt的抑制主要措施是在晶闸管上并联一个阻容电路。

判断题晶闸管dV/dt的抑制主要措施是在晶闸管上并联一个阻容电路。