问答题
HBT具有很强的电流驱动能力；适用于模拟信号的功率放大和门阵列逻辑的输出缓冲电路设计。
Si/SiGe材料系统的HBT工艺取得了哪些长足进步？
问答题Si/SiGe材料系统的HBT工艺取得了哪些长足进步？
目前，III/V族化合物构成的高速HBT可达到哪些性能？
问答题目前，III/V族化合物构成的高速HBT可达到哪些性能？
InP/InGaAsHBT具有什么特点？
问答题InP/InGaAsHBT具有什么特点？
