单项选择题
A.两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构B.双异质结形成的结构，如AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构C.能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构D.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构
在实际情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（）A.金属和n型半导体接触，形成电子阻挡层，即为欧姆接触B...
单项选择题在实际情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（）
A.金属和n型半导体接触，形成电子阻挡层，即为欧姆接触B.金属和p型半导体接触，形成空穴阻挡层，即为欧姆接触C.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触D.金属和n型半导体接触，形成电子反阻挡层，即为欧姆接触
关于“复合中心”，以下说法正确的是（）A.复合中心是浅能级杂质B.复合中心能级在禁带中线附近时，最有利于复合C...
单项选择题关于“复合中心”，以下说法正确的是（）
A.复合中心是浅能级杂质B.复合中心能级在禁带中线附近时，最有利于复合C.复合中心能级在费米能级附近时，最有利于复合D.复合中心的存在延长了少子的寿命
既有施主杂质又有受主杂质的半导体的电中性方程为（）A.AB.BC.CD.D
既有施主杂质又有受主杂质的半导体的电中性方程为（）
A.AB.BC.CD.D
