单项选择题
A.单相半波电阻性负载B.单相桥式半控电感性负载C.三相半波大感性负载D.三相桥式电阻性负载
PWM控制技术的重要理论基础是（）相等而形状不同的窄脉冲加在具有（）的环节上时，其效果基本相同。
填空题PWM控制技术的重要理论基础是（）相等而形状不同的窄脉冲加在具有（）的环节上时，其效果基本相同。
从驱动的角度看，SCR 属于（）控制型器件，P-MOSFET 属于（）控制型器件。
填空题从驱动的角度看，SCR 属于（）控制型器件，P-MOSFET 属于（）控制型器件。
当使用的可控硅（SCR ）电流定额太小时，可用两个参数相同的SCR（）使用，当使用的可控硅（SCR ）电压定额...
填空题当使用的可控硅（SCR ）电流定额太小时，可用两个参数相同的SCR（）使用，当使用的可控硅（SCR ）电压定额太小时，可用两个参数相同的SCR（）使用。
