单项选择题
A.改变RF激励位置 B.改变RF激励频率 C.改变层面选择梯度磁场的场强大小 D.改变层面选择梯度磁场的方向 E.同时改变RF激励位置和层面选择梯度场强的大小
MR成像中，层面选择方法可以通过（）A.层面选择梯度磁场的场强维持不变，只变化射频脉冲频率B.不断移动射频脉冲...
单项选择题MR成像中，层面选择方法可以通过（）
A.层面选择梯度磁场的场强维持不变，只变化射频脉冲频率 B.不断移动射频脉冲激励的位置 C.射频脉冲频率不变，改变层面选择梯度磁场方向 D.射频脉冲频率和层面选择梯度磁场方向都不变 E.同时改变射频脉冲频率和层面选择梯度磁场方向
梯度磁场是（）A.一个很弱的均匀磁场B.在一定方向上其强度随空间位置而变化的磁场C.始终与主磁场同方向的弱磁场...
单项选择题梯度磁场是（）
A.一个很弱的均匀磁场 B.在一定方向上其强度随空间位置而变化的磁场 C.始终与主磁场同方向的弱磁场 D.一个交变磁场，其频率等于拉莫尔频率 E.一个交变磁场，其频率随自旋质子所在位置而不同
关于纵向弛豫的叙述正确的是（）A.T2B.磁化矢量最大值约为37%C.自旋—晶格弛豫D.自旋—自旋弛豫E.相位...
单项选择题关于纵向弛豫的叙述正确的是（）
A.T2 B.磁化矢量最大值约为37% C.自旋—晶格弛豫 D.自旋—自旋弛豫 E.相位由聚合变为失相
