‌MOCVD通常用于制备外延薄膜。

温度越高，吸附原子解吸附越快，所以扩散距离越短。

判断题温度越高，吸附原子解吸附越快，所以扩散距离越短。

溅射镀膜中，气压越高，入射离子越多，因此沉积速率越快。

判断题溅射镀膜中，气压越高，入射离子越多，因此沉积速率越快。

‌磁控溅射可以是直流溅射，也可以是射频溅射。

判断题‌磁控溅射可以是直流溅射，也可以是射频溅射。