GAL可实现时序逻辑电路的功能，也可实现组合逻辑电路的功能。

可编程逻辑器件的写入电压和正常工作电压相同。

判断题可编程逻辑器件的写入电压和正常工作电压相同。

目前使用的（）可多次写入的存储单元是在MOS管中置入（）的方法实现的。

填空题目前使用的（）可多次写入的存储单元是在MOS管中置入（）的方法实现的。

RAM主要包括（）、存储矩阵和读/写控制电路等部分。

填空题RAM主要包括（）、存储矩阵和读/写控制电路等部分。