单项选择题
A./CE引脚为低电平，/OE引脚为低电平，/WE引脚为低电平B./CE引脚为低电平，/OE引脚为高电平，/WE引脚为低电平C./CE引脚为低电平，/OE引脚为低电平，/WE引脚为高电平D./CE引脚为高电平，/OE引脚为低电平，/WE引脚为高电平
存储芯片在写操作时，其读写控制器的引脚状态应该是（）A./CE引脚为低电平，/OE引脚为低电平，/WE引脚为低...
单项选择题存储芯片在写操作时，其读写控制器的引脚状态应该是（）
容量为8K×8bit的存储器芯片，该芯片的数据线数量为（）A.4根B.8根C.12根D.16根
单项选择题容量为8K×8bit的存储器芯片，该芯片的数据线数量为（）
A.4根B.8根C.12根D.16根
容量为8K×8bit的存储器芯片，该芯片的地址线数量为（）A.10根B.11根C.12根D.13根
单项选择题容量为8K×8bit的存储器芯片，该芯片的地址线数量为（）
A.10根B.11根C.12根D.13根
