单项选择题
A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
P型半导体发生强反型的条件（）。A.B.C.D.
单项选择题P型半导体发生强反型的条件（）。
A. B. C. D.
说明能带中载流子迁移率的物理意义和作用。
问答题说明能带中载流子迁移率的物理意义和作用。
对于掺杂的元素半导体Si、Ge中，一般情形下对载流子的主要散射机构是什么？写出其主要散射机构所决定的散射几率和...
问答题对于掺杂的元素半导体Si、Ge中，一般情形下对载流子的主要散射机构是什么？写出其主要散射机构所决定的散射几率和温度的关系。
