判断题
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减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度,不但能减少存储电荷,还能降低反向抽取电流。
判断题减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度,不但能减少存储电荷,还能降低反向抽取电流。
反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
判断题反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压而升高。
判断题PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压而升高。