问答题
采用负载电阻会占用大量的芯片面积,而晶体管占用的硅片面积通常比负载电阻小,并且有源负载反相器电路比无源负载反相器有更好的......
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设计一个VOL=0.6V的电阻负载反相器,增强型驱动晶体管VT0=1V, VDD=5V 1)求VIL和VIH...
设计一个VOL=0.6V的电阻负载反相器,增强型驱动晶体管VT0=1V, VDD=5V 1)求VIL和VIH 2)求噪声容限VNML和VNMH
考虑一个电阻负载反相器电路:VDD=5V,KN`=20uA/V2 ,VT0=0.8V,RL=200KΩ,W/L...
问答题考虑一个电阻负载反相器电路:VDD=5V,KN`=20uA/V2 ,VT0=0.8V,RL=200KΩ,W/L=2。计算VTC曲线上的临界电压值(VOL、VOH、VIL、VIH)及电路的噪声容限,并评价该直流反相器的设计质量。
考虑下面的反相器设计问题:给定VDD=5V,KN`=30uA/V2 ,VT0=1V 设计一个VOL=0.2V的...
问答题考虑下面的反相器设计问题:给定VDD=5V,KN`=30uA/V2 ,VT0=1V 设计一个VOL=0.2V的电阻负载反相器电路,并确定满足VOL条件时的晶体管的宽长比(W/L)和负载电阻RL的阻值。