案例分析题

一个有杂质补偿的硅半导体，已知掺入的受主浓度设室温下费米能级恰好与施主能级重合，电子浓度。

电离杂质和中性杂质的浓度各是多少？

求出样品中的施主浓度Nd(设gd=2)

问答题求出样品中的施主浓度Nd(设gd=2)

求出平衡少子浓度。

问答题求出平衡少子浓度。

试用一维非均匀掺杂（掺杂浓度随x的增加而下降）的非简并p型半导体模型导出爱因斯坦关系：

问答题试用一维非均匀掺杂（掺杂浓度随x的增加而下降）的非简并p型半导体模型导出爱因斯坦关系：