多项选择题
A.高分辨率 B.高灵敏度 C.精密的套刻对准 D.大尺寸 E.低缺陷
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A.刻蚀B.氧化C.淀积D.光刻
单项选择题在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
A.刻蚀 B.氧化 C.淀积 D.光刻
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A.4～6hB.50min...
单项选择题在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A.4～6h B.50min～2h C.10～40min D.5～10min
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A.4～6hB.50min...
单项选择题在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
