由PN结能带图可见，电子从N区到P区，需要克服一个高度为（）的势垒。A.-qVbiB.-V

在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法，其目的是（）。A...

单项选择题在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法，其目的是（）。

A.增加载流子的散射
B.引入复合中心增加少子寿命
C.增加载流子的能量
D.引入复合中心降低少子寿命

对突变PN结，反向电压很大时，可以略去Vbi，这时势垒电容与（）成反比。A.AB.BC.CD.D

单项选择题

对突变PN结，反向电压很大时，可以略去V_bi，这时势垒电容与（）成反比。

A.A
B.B
C.C
D.D

正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现（）过程占优。A.产生B.碰撞...

单项选择题正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现（）过程占优。

A.产生
B.碰撞
C.复合
D.隧穿

微电子器件与IC设计基础