单项选择题
A.IGBT ,GTOB.电力MOSFET ,GTRC.IGBT ,电力MOSFETD.GTO ,GTR
绝缘栅双极晶体管IGBT是一种()结构的半导体器件。A.四层三端B.三层三端C.五层三端D.三层二端
单项选择题绝缘栅双极晶体管IGBT是一种()结构的半导体器件。
A.四层三端B.三层三端C.五层三端D.三层二端
有关MOSFET的通态电阻,表述正确的是()A.MOSFET的通态电阻具有负温度系数,不能并联使用。B.MOS...
单项选择题有关MOSFET的通态电阻,表述正确的是()
A.MOSFET的通态电阻具有负温度系数,不能并联使用。B.MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。C.MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流不利。
功率晶体管GTR会发生()现象,会立即导致器件的永久损坏,或工作特性明显衰变,因而对GTR危害极大。A.一次击...
单项选择题功率晶体管GTR会发生()现象,会立即导致器件的永久损坏,或工作特性明显衰变,因而对GTR危害极大。
A.一次击穿B.临界饱和C.反向截止D.二次击穿