离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。

热扩散掺杂的工艺可以一步实现。

判断题热扩散掺杂的工艺可以一步实现。

替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。

判断题替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。

杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。

判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。