单项选择题
A.结区的电场为均匀电场B.耗尽区的宽度与掺杂浓度无关C.结区电容与外加电压无关D.外加电压增大，耗尽层的宽度增加
关于半导体作为探测器介质的物理性能，下列说法错误的是（）。A.平均电离能比闪烁体探测器低B.载流子数目服从泊松...
单项选择题关于半导体作为探测器介质的物理性能，下列说法错误的是（）。
A.平均电离能比闪烁体探测器低B.载流子数目服从泊松分布C.电子迁移率与空穴迁移率相近D.掺杂会大大降低半导体的电阻率
下列哪两种性质是组成半导体探测器的关键？（）A.高的电阻率，短的载流子寿命B.高的电阻率，长的载流子寿命C.低...
单项选择题下列哪两种性质是组成半导体探测器的关键？（）
A.高的电阻率，短的载流子寿命B.高的电阻率，长的载流子寿命C.低的电阻率，长的载流子寿命D.低的电阻率，短的载流子寿命
掺杂下列哪种元素的杂质半导体是属于间隙型的？（）A.LiB.BC.PD.Al
单项选择题掺杂下列哪种元素的杂质半导体是属于间隙型的？（）
A.LiB.BC.PD.Al
