计算题

磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数ε_r=11.1，空穴的有效质量m_p^*=0.86m₀，m₀为电子的惯性质量，求
①受主杂质电离能；
②受主束缚的空穴的基态轨道半径。

锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量mn*=0.015m0，m0为电子的...

问答题

锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数ε_r=17，电子的有效质量m_n^*=0.015m₀， m₀为电子的惯性质量，求
①施主杂质的电离能
②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

举例说明杂质补偿作用。

问答题举例说明杂质补偿作用。

以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。

问答题以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。