单项选择题
A.使能片选信号B.高电压C.存储电荷D.选通地址
DRAM2116结构图中增加了刷新计数器的目的是()。A.周期为每列存储单元刷新B.周期为每行存储单元刷新C....
单项选择题DRAM2116结构图中增加了刷新计数器的目的是()。
A.周期为每列存储单元刷新B.周期为每行存储单元刷新C.周期进行行译码D.周期读/写数据
单管DRAM位线上的分布电容电荷大,降低了存储高电平的电位,仅达到(),因此需要增加灵敏恢复/放大电路放大电压...
单项选择题单管DRAM位线上的分布电容电荷大,降低了存储高电平的电位,仅达到(),因此需要增加灵敏恢复/放大电路放大电压,达到高电平的值。
A.0.1VB.0VC.0.2VD.1V
四管动态存储单元电路不需要灵敏恢复/放大电路的原因是()。A.输出高电平的电位足够高B.输出低电平的电位足够高...
多项选择题四管动态存储单元电路不需要灵敏恢复/放大电路的原因是()。
A.输出高电平的电位足够高B.输出低电平的电位足够高C.电容可以存储电荷D.用锁存器的输出存储电平