用于制备多孔纳米晶薄膜的二氧化钛具体指锐钛矿相二氧化钛。

一般而言，衬度温度在200～300℃，功率在300～500W/m2时，比较适宜制备非晶硅。

判断题一般而言，衬度温度在200～300℃，功率在300～500W/m²时，比较适宜制备非晶硅。

铜铟镓硒具有高达6*10cm-1的吸收系数，这是到目前为止所有半导体材料中的最低值。

判断题铜铟镓硒具有高达6*10cm^-1的吸收系数，这是到目前为止所有半导体材料中的最低值。

酞菁类化合物是典型的D型有机半导体。

判断题酞菁类化合物是典型的D型有机半导体。