单项选择题
A.高纯锗探测器是由Ge单晶制成B.杂质浓度约为105个原子/cm3C.因为纯度高，所以可以有很大的结区，即敏感体积D.耗尽层内的电场强度不是一致的
下列对锂漂移探测器的工作条件和原理描述不正确的是（）。A.锂漂移探测器不可以用来测量入射粒子的能量B.Ge（L...
单项选择题下列对锂漂移探测器的工作条件和原理描述不正确的是（）。
A.锂漂移探测器不可以用来测量入射粒子的能量B.Ge（Li）探测器须保存在低温下C.Si（Li）探测器可在常温下保存D.锂漂移探测器能量分辨率高于NaI探测器
关于锂漂移探测器的工作原理，下列说法正确的是（）。A.I区存在空间电荷B.I区为耗尽层，但是电阻率低于106Ω...
单项选择题关于锂漂移探测器的工作原理，下列说法正确的是（）。
A.I区存在空间电荷B.I区为耗尽层，但是电阻率低于106ΩC.I区为主要的探测器敏感区域D.因为空间电荷的存在，平面型结构I区内不是均匀电场
关于锂的漂移特性及P-I-N结形成，下列说法错误的是（）。A.Li为施主杂质B.锂离子是用于漂移成探测器的唯一...
单项选择题关于锂的漂移特性及P-I-N结形成，下列说法错误的是（）。
A.Li为施主杂质B.锂离子是用于漂移成探测器的唯一可用离子C.基体用N型半导体
