单项选择题
A.ICB.IEC.IB
锗晶体三极管的发射结的导通电压约为()。A.0.2VB.0.3VC.0.7V
单项选择题锗晶体三极管的发射结的导通电压约为()。
A.0.2VB.0.3VC.0.7V
晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而()。A.增大B.减小C.不变
单项选择题晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而()。
A.增大B.减小C.不变
硅晶体三极管的发射结的死区电压约为()。A.0.5VB.0.3VC.0.7V
单项选择题硅晶体三极管的发射结的死区电压约为()。
A.0.5VB.0.3VC.0.7V