多项选择题
A.防止晶圆受到撞击而导致边缘破裂B.防止热应力产生的缺陷在边缘产生并阻止其向内部移动C.增加晶圆边缘的平坦度D.去除晶圆表面微量的损伤层
单晶硅生长过程中，无位错正常生长的标志有（）A.晶棱随细颈转为宽平B.有反光或细颈某一侧向外鼓起C.长出规定尺...
多项选择题单晶硅生长过程中，无位错正常生长的标志有（）
A.晶棱随细颈转为宽平B.有反光或细颈某一侧向外鼓起C.长出规定尺寸的细颈D.界面出现抖动的光圈
直径大于8英寸的单晶硅锭可以用（）方法制备出来。A.FZ法B.CZ法C.直拉法D.悬浮区熔法
多项选择题直径大于8英寸的单晶硅锭可以用（）方法制备出来。
A.FZ法B.CZ法C.直拉法D.悬浮区熔法
工业上用二氧化硅和碳在高温下以一定的比例混合发生置换反应得到的单质硅纯度约为98%，主要含有（）等杂质。A.F...
多项选择题工业上用二氧化硅和碳在高温下以一定的比例混合发生置换反应得到的单质硅纯度约为98%，主要含有（）等杂质。
A.FeB.AlC.BD.Cu
