可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。

用万用表测量可能控硅的阳极与阴极间的正反向电阻和控制极与阴极间的正反向电阻，如指针不动，则说明可控硅是好的。

判断题用万用表测量可能控硅的阳极与阴极间的正反向电阻和控制极与阴极间的正反向电阻，如指针不动，则说明可控硅是好的。

单结晶体管是具有两个基极与一个发射极的晶体管，其外形很象三极管，它的特点是具有负阻效应，因此也可以象三极管一样...

判断题单结晶体管是具有两个基极与一个发射极的晶体管，其外形很象三极管，它的特点是具有负阻效应，因此也可以象三极管一样应用在放大电路中。

光可控硅是利用光照强度触发的新型可控元件，其伏安特性与普通可控硅相似。

判断题光可控硅是利用光照强度触发的新型可控元件，其伏安特性与普通可控硅相似。